BUV62 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	BUV62 Seme LAB	FAST SWITCHING POWER TRANSISTOR FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR BUV62 Fast Switching Times Low Switching Losses Low Saturation Voltage Hermetic TO3 Metal package. Ideally suited for Motor Control, Switching and Linear Applications High Reliability Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless o
2	BUV62 Seme LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package BUV62 Dimensions in mm (inches). 25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 6.35 (0.25) 9.15 (0.36) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 38.61 (1.52) 39.12 (1.54) 1.47 (0.058) 1.60 (0.063) 29.9 (1.177) 30.4 (1.197) 16.64 (0.655) 17.
3	BUV62A Seme LAB	FAST SWITCHING POWER TRANSISTOR FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR BUV62A Fast Switching Times Low Switching Losses Low Saturation Voltage Hermetic TO3 Metal package. Ideally suited for Motor Control, Switching and Linear Applications High Reliability Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BUV10	Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV10 DESCRIPTION ·High Switching Speed ·High Current Capability APPLICATIONS ·Designed for high current,high speed,high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEX VCER VCEO VEBO	Inchange Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BUV10N	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package BUV10N Dimensions in mm (inches). 25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 6.35 (0.25) 9.15 (0.36) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 38.61 (1.52) 39.12 (1.54) 1.47 (0.058) 1.60 (0.063) 29.9 (1.177) 30.4 (1.197) 16.64 (0.655) 17	Seme LAB
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BUV11	20 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 200 VOLTS 150 WATTS MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by BUV11, D SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor . . . designed for high current, high speed, high power applications. High DC current gain; hFE min. = 20 at IC = 6 A Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 6 A Very fast s	Motorola Inc

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