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BUV66 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Silicon NPN Power Transistor의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | BUV66 Inchange Semiconductor | Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUV66
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 450V(Min.) ·High Speed Switching
APPLICATIONS ·Designed for switch mode power supply, UPS, DC and AC
motor control applications.
ABSOLUTE MAX |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| BUV10 | Silicon NPN Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
BUV10
DESCRIPTION ·High Switching Speed ·High Current Capability
APPLICATIONS ·Designed for high current,high speed,high power applications.
Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
SYMBOL VCBO VCEX VCER VCEO VEBO |
Inchange Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| BUV10N | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package BUV10N
Dimensions in mm (inches).
25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135)
6.35 (0.25) 9.15 (0.36)
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package.
38.61 (1.52) 39.12 (1.54)
1.47 (0.058) 1.60 (0.063)
29.9 (1.177) 30.4 (1.197)
16.64 (0.655) 17 |
 Seme LAB |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| BUV11 | 20 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 200 VOLTS 150 WATTS MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by BUV11, D
SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor
. . . designed for high current, high speed, high power applications. High DC current gain; hFE min. = 20 at IC = 6 A Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 6 A Very fast s |
 Motorola Inc |
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