![]() |
|
BUY25CS12K-11 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 HiRel RadHard Power-MOS의 기능을 가지고 있습니다. |
BUY25CS12K-11의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | BUY25CS12K-11 Infineon | HiRel RadHard Power-MOS Data Sheet BUY25CS12K-01 HiRel RadHard Power-MOS
Low RDS(on)
Single Event Effect (SEE) hardened
LET 85, Range: 118 m LET 55, Range: 90 m
VGS = -10V, VDS = 250V
VGS = -15V, VDS = 250V
VGS = -15V, VDS = 120V
VGS = -20V, VDS = 160V
Total Ionisation Dose (TID) hardened
100 kRad approved (Leve | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
|
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
BUY18S | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package BUY18S
Dimensions in mm (inches).
25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135)
6.35 (0.25) 9.15 (0.36)
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package.
38.61 (1.52) 39.12 (1.54)
0.97 (0.060) 1.10 (0.043)
29.9 (1.177) 30.4 (1.197)
22.23 (0.875) ma |
![]() Seme LAB |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
BUY24 | Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUY24
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 60V(Min.) ·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.0V@ IC= 5A
APPLICATIONS ·Designed for use switching and general purpose applications.
|
![]() Inchange Semiconductor |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
BUY24 | SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN POWER SWITCHING TRANSISTOR BUY24
MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches)
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN POWER SWITCHING TRANSISTOR
25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135)
6.35 (0.25) 9.15 (0.36)
FEATURES
CECC SCREENING OPTIONS
38.61 (1.52) 39.12 (1.54)
0.97 (0.060) 1.10 (0.043)
29 |
![]() Seme LAB |
![]() |
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |