BZX83C6V2 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 500 mW DO-35 Glass Zener Voltage Regulator Diodes의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	BZX83C6V2 CDIL	SILIICON PLANAR ZENER DIODES Continental Device India Limited An IS, ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer SILIICON PLANAR ZENER DIODES IS, ISO 9002 Lic# QSC, L-000019.3 BZX83C 2V7 to 56V 500mW DO- 35 Glass Axial Package Best suited for Industrial, Military and Space Applications. The glass passivated diode chip in the he
2	BZX83C6V2 SEMTECH	SILICON EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODES BZX83C SILICON EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODES The Zener voltages are graded according to the international E 24 standard. Other tolerances and higher Zener voltages are upon request. Features High reliability Applications Voltage stabilization Max. 0.5 Max. 1.9 Min. 27.5 Black Cathode Band Black
3	BZX83C6V2RL Motorola Inc	500 mW DO-35 Glass Zener Voltage Regulator Diodes MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 500 mW DO-35 Glass Zener Voltage Regulator Diodes GENERAL DATA APPLICABLE TO ALL SERIES IN THIS GROUP GENERAL DATA 500 mW DO-35 GLASS GLASS ZENER DIODES 500 MILLIWATTS 1.8 200 VOLTS 500 Milliwatt Hermetically Sealed Glass Silicon Zener Diodes Specification F
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BZX10	Zener Diode ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju	COS
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BZX10	(BZX3V0 - BZX39V) Zener Diode w w w Low reverse current level Very high stability Low noise 0.5Max Available with tighter tolerances CATHODE MARK Applications Voltage stabilization T j =25 C Parameter Power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol P Tj Value TStg Marking Example: COS 6V8 w w	COS
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
BZX11	Zener Diode ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE Unit in: mm 2.0Max 0.5Max 26.0Min CATHODE MARK Features: Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise Available with tighter tolerances Applications Voltage stabilization T j =25C Parameter Power dissipation Ju	COS

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