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C2712 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
1C2712

Weitron Technology		NPN Transistor - 2SC2712

2SC2712 3 1 2 SOT-23 WEITRON http:, , www.weitron.com.tw 2SC2712 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Min Typ Max Unit ON CHARACTERISTICS DC Current Gain (IC= 2 mAdc, VCE= 6.0 Vdc) Collector-Emitter Saturation Voltage (IC= 100 mAdc,
Weitron Technology
2C2712

WEJ		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AM, FM IF AMPLIFIER,LOCAL OSCILATOR OF FM, VHF TUNER High Current Gain Bandwidth Product fT=600MHz 2SC2715 SOT-23 1 1. 2.4 1.3 3 2 1.BASE 2.EMITTER 3.COLLECTOR 2.9 1.9 0.95 0.95 0.4 Unit:mm ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Collector-Base Voltage Collecto
WEJ

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부품번호 상세설명 제조업체 PDF
C2703 NPN Transistor - 2SC2703

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2703 Audio Power Amplifier Applications 2SC2703 Unit: mm High DC current gain: hFE = 100 to 320 Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Bas
 Toshiba
Toshiba		 datasheet C2703 pdf
부품번호 상세설명 제조업체 PDF
C2705 NPN Transistor - 2SC2705

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2705 Audio Frequency Amplifier Applications 2SC2705 Unit: mm Small collector output capacitance: Cob = 1.8 pF (typ.) High transition frequency: fT = 200 MH- (typ.) Complementary to 2SA1145. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Ch
 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor		 datasheet C2705 pdf
부품번호 상세설명 제조업체 PDF
C2710 NPN Transistor - 2SC2710

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2710 2SC2710 For Audio Amplifier Applications Unit: mm · High DC current gain: hFE (1) = 100~320 · Complementary to 2SA1150 Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-bas
 Toshiba
Toshiba		 datasheet C2710 pdf

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