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C2783 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Silicon NPN POWER TRANSISTOR의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | C2783 HGSemi | Silicon NPN POWER TRANSISTOR HG Semiconductors
2sc2783HG RF POWER TRANSISTOR
ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR
Note : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change
www.HGSemi.com
Sep. 1998
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데이터시트 다운로드
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| C2703 | NPN Transistor - 2SC2703 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC2703
Audio Power Amplifier Applications
2SC2703
Unit: mm
High DC current gain: hFE = 100 to 320
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Bas |
 Toshiba |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| C2705 | NPN Transistor - 2SC2705 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC2705
Audio Frequency Amplifier Applications
2SC2705
Unit: mm
Small collector output capacitance: Cob = 1.8 pF (typ.) High transition frequency: fT = 200 MH- (typ.) Complementary to 2SA1145.
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Ch |
 Toshiba Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| C2710 | NPN Transistor - 2SC2710 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC2710
2SC2710
For Audio Amplifier Applications
Unit: mm
· High DC current gain: hFE (1) = 100~320 · Complementary to 2SA1150
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-bas |
Toshiba |
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