|
|
C30659-900-R8AH 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Si and InGaAs APD Preamplifier Modules의 기능을 가지고 있습니다. |
사이트 이용 방법
|
C30659-900-R8AH의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | C30659-900-R8AH Excelitas | Si and InGaAs APD Preamplifier Modules DATASHEET
Photon Detection
C30659 Series 900, 1060, 1550, 1550E
Si and InGaAs APD Preamplifier Modules
Excelitas’ C30659-1550E InGasAs APD Preamplifier Modules exhibit enhanced damage threshold and greater resilience when exposed to higher optical power densities.
Excelitas Technologies’ C306 |  |
데이터시트 다운로드
| |||
국내 전자부품 판매점 |
|
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| C300 | MONOLITHIC WIDEBAND CRT DISTORTION CORRECTION DEVICE
intronies
MONOLITHIC WIDEBAND CRT DISTORTION CORRECTION DEVICE
FEATURES r 16 pin ceramic dip (C300 Series) r Minimum of external components required o Easily adjusts for yoke errors o Accuracy better than 0.590 Max (C312) o Bandwidth compatible with l0MH- systems r Both geometry and focus availab |
 Intronice |
 |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| C3000 | NPN Transistor - 2SC3000 Ordering number:EN866C
Features
· FBET series. · High fT and small Cre.
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC3000
HF Amplifier Applications
Package Dimensions
unit:mm 2003A
[2SC3000]
JEDEC : TO-92 EIAJ : SC-43
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter
Symbol
Coll |
 Sanyo |
|
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| C3011 | NPN Transistor - 2SC3011 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC3011
2SC3011
UHF~C Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
· High gain: |S21e|2 = 12dB (typ.) · Low noise figure: NF = 2.3dB (typ.), f = 1 GH- · High fT: fT = 6.5 GHz
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base v |
 Toshiba |
|
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
공유링크 :
|
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
|
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |