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C30T04Q 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Schottky Barrier Diode의 기능을 가지고 있습니다. |
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검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | C30T04Q Nihon Inter Electronics | Schottky Barrier Diode SBD
T y p e : C30T0 30T04 T04Q
OUTLINE DRAWING
FEATURES *SQUARE-PAK TO-263AB(SMD) Packaged in 24mm Tape and Reel *Dual Diodes Cathode Common *Low Forward Voltage Drop *High Surge Capability *Tj=150 °C operation
Maximum Ratings
Rating Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Cu |  |
| 2 | C30T04Q-11A Nihon Inter Electronics | Schottky Barrier Diode SBD
T y p e : C30T0 30T04 T04Q-11A
OUTLINE DRAWING
FEATURES *Tabless TO-220 *Dual Diodes Cathode Common *Low Forward Voltage Drop *High Surge Capability *Tj=150 °C operation
Maximum Ratings
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current RMS Forward Current Surge Forwa | |
| 3 | C30T04QH ETC | SBD S B D T y p e : C30T04QH
FEATURES *SQUARE-PAK TO-263AB(SMD)
Packaged in 24mm Tape and Reel *Dual Diodes Cathode Common *Low Forward Voltage Drop *High Surge Capability *Tj=150 °C operation
OUTLINE DRAWING
Maximum Ratings
Rating Repetitive Peak Reverse Voltage Repetitive Peak Surge Reverse Voltag |  |
| 4 | C30T04QH-11A Nihon Inter Electronics | Schottky Barrier Diode SBD
T y p e : C30T0 30T04 T04QHQH-11A
OUTLINE DRAWING
FEATURES *Tabless TO-220 *Dual Diodes Cathode Common *Low Forward Voltage Drop *High Surge Capability *Tj=150 °C operation
Maximum Ratings
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage Repetitive Peak Surge Reverse Voltage Average Rectified Outpu | |
데이터시트 다운로드
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| C300 | MONOLITHIC WIDEBAND CRT DISTORTION CORRECTION DEVICE
intronies
MONOLITHIC WIDEBAND CRT DISTORTION CORRECTION DEVICE
FEATURES r 16 pin ceramic dip (C300 Series) r Minimum of external components required o Easily adjusts for yoke errors o Accuracy better than 0.590 Max (C312) o Bandwidth compatible with l0MH- systems r Both geometry and focus availab |
 Intronice |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| C3000 | NPN Transistor - 2SC3000 Ordering number:EN866C
Features
· FBET series. · High fT and small Cre.
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC3000
HF Amplifier Applications
Package Dimensions
unit:mm 2003A
[2SC3000]
JEDEC : TO-92 EIAJ : SC-43
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter
Symbol
Coll |
 Sanyo |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| C3011 | NPN Transistor - 2SC3011 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC3011
2SC3011
UHF~C Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
· High gain: |S21e|2 = 12dB (typ.) · Low noise figure: NF = 2.3dB (typ.), f = 1 GH- · High fT: fT = 6.5 GHz
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base v |
 Toshiba |
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