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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | C5271 Sanken electric | NPN Transistor - 2SC5271 2SC5271
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SC5271 300 200 7 5(Pulse10) 2 30(Tc=25°C) 150 55 to +150 Unit V V V A A W °C °C
Application : Resonant Switching Regulator and General Purpose
(Ta=25°C) 2SC5271 10 | |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
C5200 | NPN Transistor - 2SC5200 2SC5200
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC5200
Power Amplifier Applications
Unit: mm High breakdown voltage: VCEO = 230 V (min) Complementary to 2SA1943 Suitable for use in 100-W high fidelity audio amplifier’s output stage
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics Col |
Toshiba |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
C5201 | NPN Transistor - 2SC5201 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
2SC5201
High-Voltage Switching Applications
2SC5201
Unit: mm
High breakdown voltage: VCEO = 600 V Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.0 V (max) (IC = 20 mA, IB = 0.5 mA)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Ra |
Toshiba |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
C5206 | Silicon NPN Triple Diffused Transistor 2SC5206
Silicon NPN Triple Diffused
Application
High power switching
Features
High breakdown voltage VCBO = 500 V
Isolated package TO-220FM
Outline
TO-220FM
123
1. Base 2. Collector 3. Emitter
2SC5206
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter v |
Hitachi |
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