CGH60030D 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	CGH60030D Cree	GaN HEMT Die CGH60030D 30 W, 6.0 GHz, GaN HEMT Die Cree’s CGH60030D is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conducti
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
CGH27015F	GaN HEMT PRELIMINARY CGH27015F 15 W, 2300-2900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX Cree’s CGH27015 is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH27015 ideal for 2.3 to 2.9GH- WiMAX and BWA ampl	Cree
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
CGH27030F	GaN HEMT PRELIMINARY CGH27030F 30 W, 2300-2900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX Cree’s CGH27030F is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH27030F ideal for 2.32.9GH- WiMAX and BWA	Cree
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
CGH27060F	GaN HEMT PRELIMINARY CGH27060F 60 W, 2300-2900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX Cree’s CGH27060F is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH27060F ideal for 2.3-2.9GH- WiMAX and BW	Cree

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