CGHV14250 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 GaN HEMT의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	CGHV14250 Cree	GaN HEMT CGHV14250 250 W, 1200 - 1400 MHz, GaN HEMT for L-Band Radar Systems Cree’s CGHV14250 is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGHV14250 ideal for 1.2 - 1.4 GH- L-Band
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
CGH27015F	GaN HEMT PRELIMINARY CGH27015F 15 W, 2300-2900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX Cree’s CGH27015 is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH27015 ideal for 2.3 to 2.9GH- WiMAX and BWA ampl	Cree
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
CGH27030F	GaN HEMT PRELIMINARY CGH27030F 30 W, 2300-2900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX Cree’s CGH27030F is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH27030F ideal for 2.32.9GH- WiMAX and BWA	Cree
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
CGH27060F	GaN HEMT PRELIMINARY CGH27060F 60 W, 2300-2900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX Cree’s CGH27060F is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH27060F ideal for 2.3-2.9GH- WiMAX and BW	Cree

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