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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | CGHV27015S Cree | GaN HEMT CGHV27015S
15 W, DC - 6.0 GHz, 50 V, GaN HEMT
Cree’s CGHV27015S is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor
(HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities,
which makes the CGHV27015S ideal for LTE, 4G Telecom and BWA ampl |  |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| CGH27015F | GaN HEMT PRELIMINARY
CGH27015F
15 W, 2300-2900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX
Cree’s CGH27015 is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH27015 ideal for 2.3 to 2.9GH- WiMAX and BWA ampl |
Cree |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| CGH27030F | GaN HEMT PRELIMINARY
CGH27030F
30 W, 2300-2900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX
Cree’s CGH27030F is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH27030F ideal for 2.32.9GH- WiMAX and BWA |
Cree |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| CGH27060F | GaN HEMT PRELIMINARY
CGH27060F
60 W, 2300-2900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX
Cree’s CGH27060F is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH27060F ideal for 2.3-2.9GH- WiMAX and BW |
Cree |
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