![]() |
|
CMSH1-200HE 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 (CMSH1-xxHE) SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY RECTIFIER의 기능을 가지고 있습니다. |
CMSH1-200HE의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | CMSH1-200HE Central Semiconductor | (CMSH1-xxHE) SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY RECTIFIER CMSH1-40HE CMSH1-60HE CMSH1-80HE
CMSH1-100HE CMSH1-150HE CMSH1-200HE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY RECTIFIER 1 AMP, 40 THRU 200 VOLTS
DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMSH1-40HE Series 1.0 Amp Surface Mount Silicon Schottky Rectifier is a high quality, | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
|
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
CMS-S032-020 | SCHOTTKY BARRIER DIODE
CMS-S032-020
SCHOTTKY BARRIER DIODE
Features :
* Extremely low forward volts * Guard ring protection * Low reverse leakage current
Chip size(A):
0.814 * 0.814 mm
2
Bond Pad size(B)) :
0.686 * 0.686 mm
2
A
Thickness : 300 m ± 20 m
Metalization :
Anode Ti, Ni, Ag
B
Metalization :
Catho |
![]() Champion Microelectronic |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
CMS-S032-040 | SCHOTTKY BARRIER DIODE
CMS-S032-040
SCHOTTKY BARRIER DIODE
Features :
* Extremely low forward volts * Guard ring protection * Low reverse leakage current
Chip size(A):
0.814 * 0.814 mm
2
Bond Pad size(B) :
0.686 * 0.686 mm
2
A
Thickness : 300 m ± 20 m
Metalization :
Anode Ti, Ni, Ag
B
Metalization :
Cathod |
![]() Champion Microelectronic |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
CMS-S035-020 | SCHOTTKY BARRIER DIODE
CMS-S035-020
SCHOTTKY BARRIER DIODE
Features :
* Extremely low forward volts * Guard ring protection * Low reverse leakage current
Chip size(A):
0.889 * 0.889 mm
2
Bond Pad size(B) :
0.762 * 0.762 mm
2
A
Thickness : 300 m ± 20 m
Metalization :
Anode Ti, Ni, Ag
B
Metalization :
Cathod |
![]() Champion Microelectronic |
![]() |
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |