CMST3906 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	CMST3906 Central Semiconductor Corp	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS CMST3904 NPN CMST3906 PNP SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS SOT-323 CASE w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST3904, CMST3906 types are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a SUPERmini
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
CMS-S032-020	SCHOTTKY BARRIER DIODE CMS-S032-020 SCHOTTKY BARRIER DIODE Features : * Extremely low forward volts * Guard ring protection * Low reverse leakage current Chip size(A): 0.814 * 0.814 mm 2 Bond Pad size(B)) : 0.686 * 0.686 mm 2 A Thickness : 300 m ± 20 m Metalization : Anode Ti, Ni, Ag B Metalization : Catho	Champion Microelectronic
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
CMS-S032-040	SCHOTTKY BARRIER DIODE CMS-S032-040 SCHOTTKY BARRIER DIODE Features : * Extremely low forward volts * Guard ring protection * Low reverse leakage current Chip size(A): 0.814 * 0.814 mm 2 Bond Pad size(B) : 0.686 * 0.686 mm 2 A Thickness : 300 m ± 20 m Metalization : Anode Ti, Ni, Ag B Metalization : Cathod	Champion Microelectronic
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
CMS-S035-020	SCHOTTKY BARRIER DIODE CMS-S035-020 SCHOTTKY BARRIER DIODE Features : * Extremely low forward volts * Guard ring protection * Low reverse leakage current Chip size(A): 0.889 * 0.889 mm 2 Bond Pad size(B) : 0.762 * 0.762 mm 2 A Thickness : 300 m ± 20 m Metalization : Anode Ti, Ni, Ag B Metalization : Cathod	Champion Microelectronic

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