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D2030 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
1D2030

Seme LAB
METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET D2030UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA Dimensions in mm. 5.50 ± 0.15 1.27 ± 0.05 2 PL. 2 PL. 0.47 1.65 2 PL. 0.3 R. 4 PL. 2.313 ± 0.2 4 3 3.00 2.07 0.381 2 PL. 2 PL. 5 1.27 GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 5W 28V 1GH- SINGLE ENDED 0.360 ± 0.005 6 1.2
Seme LAB
2D2030

Renesas Technology
NPN Transistor - 2SD2030

To all our customers Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp. The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003. These operations i
Renesas Technology
3D2030-

Shaoxing Silicore Technology
14W Hi-Fi Audio Amplifier

Silicore 14W Hi-Fi AUDIO AMPLIFIER GENERAL DESCRIPTION The D2030 is a monolithic integrated circuit in Pentawatt package, intended for use as a lo w frequency class AB amplifier. Typically it provides 14W outpu t po wer (d = 0.5%) at 14V, 4 Ω ;at ± 14V or 28V, the guaranteed output power is 12W o
Shaoxing Silicore Technology
4D2030UK

Seme LAB
METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET D2030UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA Dimensions in mm. 5.50 ± 0.15 1.27 ± 0.05 2 PL. 2 PL. 0.47 1.65 2 PL. 0.3 R. 4 PL. 2.313 ± 0.2 4 3 3.00 2.07 0.381 2 PL. 2 PL. 5 1.27 GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 5W 28V 1GH- SINGLE ENDED 0.360 ± 0.005 6 1.2
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TetraFET D2001UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA C N (typ) B 3 D (2 pls) 2 1 A F (2 pls) H J GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 2.5W 28V 1GH- SINGLE ENDED FEATURES SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN M I E K G SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS LOW Crss SIMPLE BIAS
Seme LAB
Seme LAB
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