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D2110 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 NPN Transistor - 2SD2110의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | D2110 Inchange Semiconductor | NPN Transistor - 2SD2110 INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD2110
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 2A ·High DC Current Gain
: hFE= 1000(Min) @ IC= 2A, VCE= |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| D2100 | NPN Transistor - 2SD2100 Ordering number:EN3176A
PNP, NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SB1397, 2SD2100
Compact Motor Driver Applications
Features
· Low saturation voltage. · Contains diode between collector and emitter. · Contains bias resistance between base and emitter. · Large current capacity. · Small-s |
 Sanyo Semicon Device |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| D2101 | NPN Transistor - 2SD2101 2SD2101
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier
Outline
TO-220FM
2
1 1. Base 2. Collector 3. Emitter
12 3
3 kΩ (Typ)
150 Ω (Typ) 3
2SD2101
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base volta |
 Hitachi Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| D2102 | NPN Transistor - 2SD2102
2SD2102
Transient Thermal Resistance Thermal resistance θj-c (°C, W)
10
3 TC = 25°C 1.0
0.3
0.1 1m
10m
100m
1.0
10
100
1000
Time t (s)
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Hitachi Semiconductor |
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