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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | D2655 Renesas | NPN Transistor - 2SD2655 2SD2655
Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
Preliminary Datasheet
R07DS0281EJ0400 Rev.4.00
Jan 10, 2014
Features
Small size package: MPAK (SC 59A) Large Maximum current: IC = 1 A Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC, IB = 0.5 A, 0.05 A) |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| D2603 | SILICON NPN TRANSISTOR 2SD2603(3DD2603)
硅 NPN 半 三 管, SILICON NPN TRANSISTOR
用途：用于一般功率 出放大。
Purpose: Power out amplifier applications.
特点： 穿 高, 和 降低。 Features: High VCEO,low V .CE(sat)
限 , Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
符
位
Symbol
Rating
Unit
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 FOSHAN BLUE ROCKET |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| D2604 | NPN Transistor - 2SD2604 2SD2604
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington)
2SD2604
High-Power Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications
Unit: mm
High DC current gain: hFE = 2000 (min) Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max)
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25° |
 Toshiba Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| D2606 | Silicon NPN diffusion planar type Darlington Power Transistors
2SD2606
Silicon NPN diffusion planar type Darlington
For power amplification
Unit: mm
s Features
q Extremely satisfactory linearity of the forward current transfer ratio hFE
q High collector to base voltage VCBO q Wide area of safe operation (ASO) q TO-220(c) type package enabl |
 Panasonic |
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