DB-55008L-450 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 RF power amplifier using 1 x PD55008L-E N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	DB-55008L-450 ST Microelectronics	RF power amplifier using 1 x PD55008L-E N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs DB-55008L-450 RF power amplifier using 1 x PD55008L-E N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Preliminary Data Features ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ Excellent thermal stability Frequency: 318 - 450 MH- Supply voltage: 13.6 V Output power: 8 W Power gain: 14.6 ± 0.6 dB Efficiency: 52 % - 73 %
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
DB-2933-54	RF POWER amplifier using 2 x SD2933 N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs DB-2933-54 RF POWER amplifier using 2 x SD2933 N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs General feature ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ Excellent thermal stability Frequency: 1.6 - 54MH- Supply voltage: 48V Output power: 400W typ. Input power 10W max. Efficiency: 57% - 76% IMD at 300WPEP < -26d	STMicroelectronics
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
DB-3	Silicon Bidirectional DIAC	Semtech Corporation
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
DB-4	Bi-directional trigger diodes LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bi-directional trigger diodes . 500mW DO-35 . Glass silicon . We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. DB-4 Product Characteristic ± V I = IBO toIF=10mA 1.5 S Limiting Values 1, 3 LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Characteristic	Leshan Radio Company

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