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DMN10H220L 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET의 기능을 가지고 있습니다.

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
1DMN10H220L

Diodes
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

NEW PRODUCT DMN10H220L 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary V(BR)DSS 100V RDS(on) max 220mΩ @ VGS = 10V 250mΩ @ VGS = 4.5V ID TA = +25°C 1.6A 1.3A Features and Benefits Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input, Output Leakage Totally Le
Diodes
2DMN10H220LE

Diodes
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

NEW PRODUCT DMN10H220LE 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary V(BR)DSS 100V RDS(on) max 220mΩ @ VGS = 10V 250mΩ @ VGS = 4.5V ID TA = +25°C 2.3A 2.1A Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior
Diodes
3DMN10H220LQ

Diodes
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMN10H220LQ 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary BVDSS 100V RDS(ON) max 220mΩ @ VGS = 10V 250mΩ @ VGS = 4.5V ID max TA = +25°C 1.6A 1.3A Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to
Diodes
4DMN10H220LVT

Diodes
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

ADVANCE INFORMATION DMN10H220LVT 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary V(BR)DSS 100V RDS(on) max 220mΩ @ VGS = 10V 250mΩ @ VGS = 4.5V ID TA = +25°C 2.24A 2.10A Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintai
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datasheet DMN-8652 pdf

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