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ECH83 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Power MOSFET ( Transistor )의 기능을 가지고 있습니다. |
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검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | ECH83 LA RADIOTECHNIQUE | Triode - Heptode |  |
| 2 | ECH83 필립스 | Triode - Heptode 1957 page 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
ECH83 sheet 1 2 3 A B C D E F G H I J FP
date 1957.12.12 1957.12.12 1957.12.12 1958.10.10 1958.10.10 1958.10.10 1958.10.10 1958.10.10 1958.10.10 1958.10.10 1958.10.10 1958.10.10 1958.10.10 1999.06.26
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| 3 | ECH83 필립스 | Triode - Heptode 1969 page 1 2 3 4 5
ECH83
sheet 1 2 3 4 FP
date 1969.12 1969.12 1969.01 1969.12 1999.08.15
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| 4 | ECH8302 Sanyo Semicon Device | P-Channel Silicon MOSFET
Ordering number : ENN8247
ECH8302
P-Channel Silicon MOSFET
ECH8302
Features
General-Purpose Switching Device Applications
Low ON-resistance. 4V drive.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) Drain Curr |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| ECH06A20 | SBD ６Ａ ２００Ｖ
SBD Type ECH06A20
4 12 3
4 1 23
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
20 10
5
2 1 0.5
0.2 0
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE
ECH06A20 (per Arm)
Tj=25°C Tj=150°C
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION (W)
0° 180° θ
COND |
 ETC |
 |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| ECH06A20 | SBD ６Ａ ２００Ｖ
SBD Type ECH06A20
4 12 3
4 1 23
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
20 10
5
2 1 0.5
0.2 0
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE
ECH06A20 (per Arm)
Tj=25°C Tj=150°C
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION (W)
0° 180° θ
COND |
ETC |
|
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| ECH06A20-F | SBD 6A Avg.
200 Volts
SBD
ECH06A20-F
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION (W)
20 10
5
2 1 0.5
0.2 0
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE ECH06A20 (per Arm)
Tj=25 °C Tj=150 °C
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
0° 180° θ
CONDUCTION ANGLE 6
|
 Nihon Inter Electronics |
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