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ECH8668 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | ECH8668 Sanyo Semicon Device | N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs
Ordering number : ENA1510
ECH8668
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
ECH8668
Features
N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs
General-Purpose Switching Device Applications
The ECH8660 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and high-speed sw | ![]() |
2 | ECH8668 온세미컨덕터 반도체 | Power MOSFET ( Transistor ) Ordering number : ENA1510A
ECH8668
Power MOSFET
20V, 7.5A, 17mΩ, 20V, 5A, 38mΩ, Complementary Dual ECH8
http:, , onsemi.com
Features
The ECH8668 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and high-speed switching , thereby enablimg high-density mou | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
ECH06A20 | SBD 6A 200V
SBD Type ECH06A20
4 12 3
4 1 23
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
20 10
5
2 1 0.5
0.2 0
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE
ECH06A20 (per Arm)
Tj=25°C Tj=150°C
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION (W)
0° 180° θ
COND |
![]() ETC |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
ECH06A20 | SBD 6A 200V
SBD Type ECH06A20
4 12 3
4 1 23
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
20 10
5
2 1 0.5
0.2 0
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE
ECH06A20 (per Arm)
Tj=25°C Tj=150°C
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION (W)
0° 180° θ
COND |
![]() ETC |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
ECH06A20-F | SBD 6A Avg.
200 Volts
SBD
ECH06A20-F
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION (W)
20 10
5
2 1 0.5
0.2 0
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE ECH06A20 (per Arm)
Tj=25 °C Tj=150 °C
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
0° 180° θ
CONDUCTION ANGLE 6
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![]() Nihon Inter Electronics |
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