F1208 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	F1208 Polyfet RF Devices	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR polyfet rf devices General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM, AM, MRI, Laser Driver and others. "Polyfet" process features gold metal for greatly
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
F1200A	High efficiency fast silicion rectifier diode F 1200A ... F 1200G Axial leaded diode .3 5 -7 5 -@ 5 -2 5 -A < = 4 = = , 1, 4 = = , #<< # ( - " #<1 # ( - " = = 3 05 6 '( 7 0< 6 - 7 0<< 6 -'( 7 ; = , #5 '%	Semikron
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
F1200A	FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES Certificate TH97, 10561QM Certificate TW00, 17276EM F1200A, F1200D FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES PRV : 50 - 200 Volts Io : 12 Amperes D6 FEATURES : * High current capability * High surge current capability * High reliability * Low reverse current * Low forward voltage drop * Fast switching fo	EIC
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
F1200A	Fast Silicon Rectifiers F1200A, F1200D Fast Silicon Rectifiers Version 2004-04-06 Schnelle Silizium Gleichrichter Nominal current Nennstrom Ø8 ±0.1 12 A 50V, 200 V Ø 8 x 7.5 [mm] P-600 Style 1.5 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgeh use Weight approx. Gewicht	Diotec Semiconductor

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