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F50L512M41A 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 3.3V 512 Mbit SPI-NAND Flash Memory의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | F50L512M41A Elite Semiconductor | 3.3V 512 Mbit SPI-NAND Flash Memory ESMT
Flash
PRODUCT LIST
Parameters VCC VCCQ1 Width Frequency Internal ECC Correction Transfer Rate Loading Throughput Power-up Ready Time Max Reset Busy Time Note: 1. VCCQ should be the same as VCC.
2. x2 PROGRAM operation is not defined.
F50L512M41A
3.3V 512 Mbit SPI-NAND Flash Memory
Values 3.3V |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| F5001 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR polyfet rf devices
General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM, AM, MRI, Laser Driver and others. "Polyfet" process features gold metal for greatly |
 Polyfet RF Devices |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| F5001H | INTELIGENT POWER SWITCH |
 Fuji Electric |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| F501 | Diode ( Rectifier ) |
 American Microsemiconductor |
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