F59L2G81A 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	F59L2G81A Elite Semiconductor	2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory ESMT Flash FEATURES Voltage Supply: 3.3V (2.7V ~ 3.6V) Organization - Memory Cell Array: (256M + 16M) x 8bit - Data Register: (2K + 64) x 8bit Automatic Program and Erase - Page Program: (2K + 64) byte - Block Erase: (128K + 4K) byte Page Read Operation - Page Size: (2K + 64) bytes - Random Read
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
F59D1G161A	1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory ESMT Flash FEATURES Voltage Supply: 1.8V (1.7 V ~ 1.95V) Organization x8: - Memory Cell Array: (128M + 4M) x 8bit - Data Register: (2K + 64) x 8bit x16: - Memory Cell Array: (64M + 2M) x 16bit - Data Register: (1K + 32) x 16bit Automatic Program and Erase x8: - Page Program: (2K + 64) Byte - Bloc	Elite Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
F59D1G81A	1 Gbit (128M x 8/ 64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory ESMT Flash FEATURES Voltage Supply: 1.8V (1.7 V ~ 1.95V) Organization x8: - Memory Cell Array: (128M + 4M) x 8bit - Data Register: (2K + 64) x 8bit x16: - Memory Cell Array: (64M + 2M) x 16bit - Data Register: (1K + 32) x 16bit Automatic Program and Erase x8: - Page Program: (2K + 64) Byte - Bloc	Elite Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
F59D2G161A	2 Gbit (256M x 8 / 128M x 16) 1.8V NAND Flash Memory ESMT Flash FEATURES Voltage Supply: 1.8V (1.7V ~ 1.95V) Organization x8: - Memory Cell Array: (256M + 8M) x 8bit - Data Register: (2K + 64) x 8bit x16: - Memory Cell Array: (128M + 4M) x 16bit - Data Register: (1K + 32) x 16bit Automatic Program and Erase x8: - Page Program: (2K + 64) byte - Bloc	Elite Semiconductor

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