FDN537N 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Single N-Channel Power Trench MOSFET의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	FDN537N Fairchild Semiconductor	Single N-Channel Power Trench MOSFET FDN537N Single N-Channel Power Trench® MOSFET FDN537N Single N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 6.5 A, 23 mΩ January 2013 Features General Description Max rDS(on) = 23 mΩ at VGS = 10 V, ID = 6.5 A Max rDS(on) = 36 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 6.0 A High performance trench technology for ex
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
FDN302	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET FDN302P October 2000 FDN302P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltag	Fairchild Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
FDN302P	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET FDN302P October 2000 FDN302P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltag	Fairchild Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
FDN304P	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET FDN304P June 2000 PRELIMINARY FDN304P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications. Features 2.4 A, 20 V. RDS(ON)	Fairchild Semiconductor

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