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FDP13AN06A0 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V/ 62A/ 13.5m의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | FDP13AN06A0 Fairchild Semiconductor | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V/ 62A/ 13.5m FDB13AN06A0 , FDP13AN06A0
July 2003
FDB13AN06A0 , FDP13AN06A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 62A, 13.5mΩ
Features
r DS(ON) = 11.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 62A Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V Low Miller Charge Low QRR Body Diode UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
FDP020N06B | N-Channel PowerTrench MOSFET FDP020N06B N-Channel PowerTrench® MOSFET
FDP020N06B
N-Channel PowerTrench® MOSFET
60 V, 313 A, 2 mΩ
November 2013
Features
RDS(on) = 1.65 mΩ ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A Low FOM RDS(on) * QG Low Reverse-Recovery Charge, Qrr = 194 nC Soft Reverse-Recovery Body Diode Enables High Effi |
![]() Fairchild Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
FDP023N08B | MOSFET ( Transistor ) FDP023N08B N-Channel PowerTrench® MOSFET
FDP023N08B
N-Channel PowerTrench® MOSFET
75 V, 242 A, 2.35 mΩ
November 2013
Features
RDS(on) = 1.96 mΩ ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 75 A Low FOM RDS(on)*QG Low Reverse Recovery Charge, Qrr Soft Reverse Recovery Body Diode Enables Highly Efficiency |
![]() Fairchild Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
FDP025N06 | MOSFET ( Transistor ) FDP025N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET
FDP025N06
N-Channel PowerTrench® MOSFET
60 V, 265 A, 2.5 mΩ
November 2013
Features
RDS(on) = 1.9 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 75 A Fast Switching Speed Low Gate Charge High Performance Trench Technology for Extremely Low
RDS(on) High Power and Cur |
![]() Fairchild Semiconductor |
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