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FGA30N60LSD 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 MOSFETs and bipolar transistors의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | FGA30N60LSD Fairchild Semiconductor | MOSFETs and bipolar transistors FGA30N60LSD
October 2008
FGA30N60LSD
Features
Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A High Input Impedance Low Conduction Loss
tm
General Description
The FGA30N60LSD is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors.This devi | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
FGA12-302 | Diode ( Rectifier ) |
![]() American Microsemiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
FGA12-502 | Diode ( Rectifier ) |
![]() American Microsemiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
FGA120N30D | 300V PDP IGBT
FGA120N30D 300V PDP IGBT
June 2006
FGA120N30D
300V PDP IGBT
Features
High Current Capability Low saturation voltage: VCE(sat), Typ = 1.1V@ IC = 25A High Input Impedance
Description
Employing Unified IGBT Technology, FGA120N30D provides low conduction and switching loss. FGA120N30D offers the |
![]() Fairchild Semiconductor |
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