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FGA6560WDF 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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1FGA6560WDF

Fairchild Semiconductor
IGBT

FGA6560WDF 650 V, 60 A Field Stop Trench IGBT FGA6560WDF 650 V, 60 A Field Stop Trench IGBT April 2015 Features Maximum Junction Temperature : TJ =175oC Positive Temperaure Co-efficient for Easy Parallel Operating High Current Capability Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.8 V(Typ.) @ IC = 6
Fairchild Semiconductor

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American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
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FGA120N30D 300V PDP IGBT

FGA120N30D 300V PDP IGBT June 2006 FGA120N30D 300V PDP IGBT Features High Current Capability Low saturation voltage: VCE(sat), Typ = 1.1V@ IC = 25A High Input Impedance Description Employing Unified IGBT Technology, FGA120N30D provides low conduction and switching loss. FGA120N30D offers the
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
datasheet FGA120N30D pdf

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