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FLM7785-8F 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 C-Band Internally Matched FET의 기능을 가지고 있습니다. |
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1 | FLM7785-8F SUMITOMO | C-Band Internally Matched FET FLM7785-8F
C-Band Internally Matched FET FEATURES
High Output Power: P1dB = 39.5dBm (Typ.) High Gain: G1dB = 8.5dB (Typ.) High PAE: ηadd = 34% (Typ.) Low IM3 = -46dBc@Po = 28.5dBm Broad Band: 7.7 ~ 8.5GH- Impedance Matched Zin, Zout = 50Ω Hermetically Sealed
DESCRIPTION
The FLM7785-8F is | ![]() |
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FLM0910-12F | X-Band Internally Matched FET FLM0910-12F
X-Band Internally Matched FET
FEATURES High Output Power: P1dB=40.5dBm(Typ.) High Gain: G1dB=7.0dB(Typ.) High PAE: ηadd=25%(Typ.) Broad Band: 9.5~10.5GH- Impedance Matched Zin, Zout = 50Ω Hermetically Sealed Package DESCRIPTION The FLM0910-12F is a power GaAs FET that is interna |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
FLM0910-12F | X-Band Internally Matched FET FLM0910-12F
X-Band Internally Matched FET
FEATURES High Output Power: P1dB=40.5dBm(Typ.) High Gain: G1dB=7.0dB(Typ.) High PAE: ηadd=25%(Typ.) Broad Band: 9.5~10.5GH- Impedance Matched Zin, Zout = 50Ω Hermetically Sealed Package DESCRIPTION The FLM0910-12F is a power GaAs FET that is interna |
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FLM0910-15F | X-Band Internally Matched FET FLM0910-15F
X-Band Internally Matched FET
FEATURES E High Output Power: P1dB=42.0dBm(Typ.) E High Gain: G1dB=7.5dB(Typ.) E High PAE: ηadd=32%(Typ.) E Broad Band: 9.5~10.5GH- E Impedance Matched Zin, Zout = 50Ω Hermetically Ε Sealed Package DESCRIPTION The FLM0910-15F is a power GaAs FET tha |
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