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FQA58N08 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 80V N-Channel MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | FQA58N08 Fairchild Semiconductor | 80V N-Channel MOSFET FQA58N08
December 2000
QFET
FQA58N08
80V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistanc |  |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| FQA10N80 | 800V N-Channel MOSFET FQA10N80
September 2000
QFET
FQA10N80
800V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state r |
Fairchild Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| FQA10N80C | 800V N-Channel MOSFET FQA10N80C 800V N-Channel MOSFET
September 2006
QFET
FQA10N80C
800V N-Channel MOSFET
Features
10A, 800V, RDS(on) = 1.1Ω @VGS = 10 V Low gate charge ( typical 44 nC) Low Crss ( typical 15pF) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv, dt capability
®
Description
These N-Channel enha |
Fairchild Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| FQA10N80C_F109 | N-Channel QFET MOSFET FQA10N80C_F109 N-Channel QFET® MOSFET
FQA10N80C_F109
N-Channel QFET® MOSFET
800 V, 10 A, 1.1 Ω
Features
10 A, 800 V, RDS(on) = 1.1 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 5 A Low Gate Charge (Typ. 44 nC) Low Crss (Typ. 15 pF) 100% Avalanche Tested RoHS compliant
March 2014
Description
This N-Channel |
Fairchild Semiconductor |
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