FRM5W232BS 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Incorporates a 30 micron InGaAs Avalanche Photodiode의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	FRM5W232BS Fujitsu Media Devices	Incorporates a 30 micron InGaAs Avalanche Photodiode InGaAs-APD, Preamp Receiver FEATURES 2.5Gb, s APD Receiver module in an industry standard mini-DIL package High Sensitivity: -34 dBm (typ.) High Differential Electrical Output Power Overload: -4dBm (typ.) Integral Thermistor and GaAs IC Preamp Wide operating temperature range (-40 to +85°C)
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
FRM130	N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification FRM130 DESCRIPTION ·14A, 100V, RDS(on) = 0.18Ω ·Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts APPLICATIONS It is specially designed and processed to exhibit minimal characteristic changes to t	Inchange Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
FRM130D	14A/ 100V/ 0.180 Ohm/ Rad Hard/ N-Channel Power MOSFETs FRM130D, FRM130R, FRM130H June 1998 14A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs Package TO-204AA Features 14A, 100V, RDS(on) = 0.180Ω Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma Meets Pre-Rad Speci cations to 100KRAD(Si) De ned End Point Specs at 300KR	Intersil
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
FRM130H	14A/ 100V/ 0.180 Ohm/ Rad Hard/ N-Channel Power MOSFETs FRM130D, FRM130R, FRM130H June 1998 14A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs Package TO-204AA Features 14A, 100V, RDS(on) = 0.180Ω Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma Meets Pre-Rad Speci cations to 100KRAD(Si) De ned End Point Specs at 300KR	Intersil

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