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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | GB15B60KD International Rectifier | IRGB15B60KD PD - 94383D
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
C
IRGB15B60KD IRGS15B60KD IRGSL15B60KD
VCES = 600V IC = 15A, TC=100°C
Features
Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. 10 s Short Circuit Capability. Square RBSOA. Ultrasoft Diode Reverse |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| GB100DA60UP | Insulated Gate Bipolar Transistor
GB100DA60UP
Vishay Semiconductors
Insulated Gate Bipolar Transistor (Warp 2 Speed IGBT), 100 A
FEATURES
NPT warp 2 speed IGBT technology with positive temperature coefficient Square RBSOA HEXFRED® antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery
SOT-227
Fully isolated package Very low i |
 Vishay Siliconix |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| GB100TS60NPBF | Ultrafast Speed IGBT
GB100TS60NPbF
Vishay High Power Products
INT-A-PAK "Half-Bridge" (Ultrafast Speed IGBT), 108 A
FEATURES
Generation 5 Non Punch Through (NPT) technology Ultrafast: Optimized for hard switching speed 8 kH- to 60 kH- Low VCE(on) 10 μs short circuit capability Square RBSOA Positive VCE(on) tem |
Vishay Siliconix |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| GB10B60KD | IRGB10B60KD
PD - 94382D
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
C
IRGB10B60KD IRGS10B60KD IRGSL10B60KD
VCES = 600V IC = 12A, TC=100°C
Features
Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. 10 s Short Circuit Capability. Square RBSOA. Ultrasoft Diode Revers |
International Rectifier |
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