GE28F128K3 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 (GE28FxxxKx) Intel StrataFlash Memory (J3)의 기능을 가지고 있습니다.

사이트 이용 방법

GE28F128K3의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요.

클릭한 반도체 부품에 대한 모든 관련 사양 및 성능이 포함된 데이터시트가 제공됩니다.

검색 결과 목록

번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	GE28F128K3 Intel Corporation	(GE28FxxxKx) Intel StrataFlash Memory (J3) Intel StrataFlash® Synchronous Memory (K3, K18) 28F640K3, 28F640K18, 28F128K3, 28F128K18, 28F256K3, 28F256K18 (x16) Datasheet m o .c U 4 t e e h S a t a .D w w w ■ ■ ■ Product Features Performance 110, 115, 120 ns Initial Access Speed for 64, 128, 256 Mbit Densities 25 ns Asynchronous P
데이터시트 다운로드

국내 전자부품 판매점

디바이스마트

IC114

엘레파츠

ICbanQ

관련 검색 목록

부품번호	상세설명	제조업체	PDF
GE200NB60S	N-CHANNEL IGBT STGE200NB60S N-channel 150A - 600V - ISOTOP Low drop PowerMESH™ IGBT General features TYPE VCES VCE(sat) (typ.) 1.2V 1.3V IC 150A 200A TC 100°C 25°C STGE200NB60S 600V ■ ■ ■ ■ ■ High input impedance (voltage driven) Low on-voltage drop (Vcesat) Off losses include tail current Low ga	ST Microelectronics
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
GE2026	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR ISSUED DATE :2005, 09, 05 REVISED DATE : GE2026 Description Features NP N E PITAX IAL PL ANAR T RANS ISTO R The GE2026 is designed for general purpose application. Low Collector Saturation Voltage : VCE (sat) =1.0V (Max.) @ IC=2A, IB=0.2A, Package Dimensions REF. A b c D E L4 L5 Millimeter Mi	GTM
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
GE20N03	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Pb Free Plating Product ISSUED DATE :2005, 06, 28 REVISED DATE : GE20N03 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS RDS(ON) ID 30V 52m 20A The GE20N03 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO	GTM

페이지 링크 허용

우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.

검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다.

공유링크 :

당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로

결과를 필터링하여 필요한 정확한 데이터시트를 쉽게 찾을 수 있습니다.

DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2