![]() |
|
GJ5M 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Diode ( Rectifier )의 기능을 가지고 있습니다. |
GJ5M의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | GJ5M American Microsemiconductor | Diode ( Rectifier ) | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
|
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
GJ50L02 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2005, 12, 16 REVISED DATE :
GJ50L02
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
25V 15m 45A
The GJ50L02 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO |
![]() GTM |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
GJ5103 | NPN HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTOR
ISSUED DATE :2005, 10, 03 REVISED DATE :
GJ5103
Description Features
NPN HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTOR
The GJ5103 is designed for high speed switching applications. Low saturation voltage, typically VCE(sat) =0.15V at IC, IB=3A, 0.15A High speed switching, typically tf =0.1 s at IC=3A Wide SOA |
![]() GTM |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
GJ55N03 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006, 08, 16 REVISED DATE :
GJ55N03
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
25V 6m 55A
The GJ55N03 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO- |
![]() GTM |
![]() |
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |