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GL480 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Infrared Emitting Diode의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | GL480 Sharp Electrionic Components | Infrared Emitting Diode GL480, GL480Q, GL483Q
GL480, GL480Q GL483Q
s Features
1. Narrow beam angle ( θ : TYP. ± 13˚ ) 2. Radiant flux ( Φ e : MIN. 0.7mW at I F = 20mA ) 3. Compact, high reliability by chip coating ( GL480Q, GL483Q ) 4. Long lead type ( GL483Q )
Infrared Emitting Diode
s Outline Dimensions
GL480, GL4 | ![]() |
2 | GL4800 Sharp Electrionic Components | Thin Type Infrared Emitting Diode GL4800
GL4800
s Features
1. Thin type ( Thickness : 1.5mm ) 2. Beam angle ( θ : TYP. ± 30˚ ) 3. Radiant flux ( Φ e : MIN. 0.7mW at I F = 20mA ) 4. Epoxy resin package
Thin Type Infrared Emitting Diode
s Outline Dimensions
Rest of gate 0.3 MAX. 3.0 ± 0.2 1.6 1.0 2 - C0.5 0.8
( Unit : mm )
1. | ![]() |
3 | GL4800E0000F Sharp Electrionic Components | Infrared Emitting Diode GL4800E0000F
GL4800E0000F
Infrared Emitting Diode
■ Features
1. Side view emission type 2. Plastic mold with resin lens 3. Medium directivity angle (Δθ: ±30° TYP.) Peak emission wavelength: 950 nm TYP. 4. Radiant flux φe: 0.7 mW MIN. 5. Lead free and RoHS directive component
■ Agency Ap | ![]() |
4 | GL480E00000F Sharp Electrionic Components | Infrared Emitting Diode GL480E00000F
GL480E00000F
Infrared Emitting Diode
■ Features
1. Side view emission type 2. Plastic mold with resin lens 3. Medium directivity angle (Δθ: ±13° TYP.) Peak emission wavelength: 950 nm TYP. 4. Radiant flux φe: 0.7 mW MIN. 5. Lead free and RoHS directive component
■ Agency Ap | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
GL40-931 | Diode ( Rectifier ) |
![]() American Microsemiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
GL4033 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
CORPORATION
GL4033
Description Package Dimensions SOT-223
P NP EP ITAX I AL PLANAR T RANSI STOR
ISSUED DATE :2003, 09, 17 REVISED DATE :2005, 07, 26B
The GL4033 is designed for high current general purpose amplifier applications.
REF. A C D E I H
Millimeter Min. Max. 6.70 7.30 2.90 3.10 0.02 0 |
![]() GTM |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
GL4100 | Side View and Thin Flat Type Infrared Emitting Diode GL4100
GL4100
s Features
1. Compact flat package 2. Wide beam angle
Side View and Thin Flat Type Infrared Emitting Diode
s Outline Dimensions
3.0 2 - C0.5
Rugged resin Gate burr Detector center
(Unit : mm)
1.8 0.7
Pale red transparent epoxy resin
0.3MAX.
(Half intensity angle : ± 90˚ )
0.7 1 |
![]() Sharp Electrionic Components |
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