GLT5160L16I-10TC 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	GLT5160L16I-10TC ETC	16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM GLT5160L16 16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM ADVANCED FEATURES u Single 3.3 V ±0.3 V power supply u Clock frequency 100 MH- , 125 MH- , 143 MHz, 166 MH- u Fully synchronous operation referenced to clock rising edge u Dual bank operation controlled by BA (Bank Address) u CAS
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
GLT41016	64K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT G -LINK a t Featuresa : D . w 65,536 words by 16 bits organization. w Fast access time and cycle time. w Dual CAS Input. Low power dissipation. Read-Modify-Write, RAS -Only Refresh, CAS -Before- RAS Refresh, Hidden Refresh and Test Mode Capability. 256 refresh cycles per 4ms. Available in 4	G-Link Technology
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
GLT41116	64k x 16 CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode GLT41116 64k x 16 CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode FEATURES x 65,536 words by 16 bits organization. x Fast access time and cycle time. x Dual CAS input. x Low power dissipation. x Read-Modify-Write, RAS-Only Refresh, CAS-before-RAS Refresh, Hidden Refresh and Test Mode Capability. x 256 refresh	ETC
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
GLT41316	64K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE G -LINK GLT41316 64K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE June 1998 (Rev 2) Features : 65,536 words by 16 bits organization. Fast access time and cycle time. Dual WE Input. Low power dissipation. Read-Modify-Write, RAS -Only Refresh, Description : The GLT41316 is a 65,536 x 16 bit high	ETC

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