GP800DDS12 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Powerline N-Channel Dual Switch IGBT Module의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	GP800DDS12 Dynex Semiconductor	Powerline N-Channel Dual Switch IGBT Module GP800DDS12 GP800DDS12 Powerline N-Channel Dual Switch IGBT Module Replaces October 1999 version, DS5172-3.0 DS5172-4.0 January 2000 The GP800DDS12 is a dual switch 1200V, robust n channel enhancement mode insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. Designed for low power loss, the module is s
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
GP800DCM18	Hi-Reliability Chopper Switch IGBT Module GP800DCM18 GP800DCM18 Hi-Reliability Chopper Switch IGBT Module DS5363-3.0 January 2001 FEATURES s s s s High Thermal Cycling Capability 800A Per Module Non Punch Through Silicon Isolated MMC Base with AlN Substrates KEY PARAMETERS VCES (typ) VCE(sat) (max) IC (max) IC(PK) 1800V 3.5V 800A 1600A	Dynex Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
GP800DCS18	Chopper Switch IGBT Module GP800DCS18 GP800DCS18 Chopper Switch IGBT Module Replaces November 2000 version, DS5221-4.0 DS5221-5.0 January 2001 FEATURES s s s s s Non Punch Through Silicon Isolated Copper Baseplate With Al2O3 Substrate Low Inductance Internal Construction Full 1800V Rating 800A Per Module KEY PARAMETERS VC	Dynex Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
GP800DDM12	Hi-Reliability Dual Switch IGBT Module Advance Information GP800DDM12 GP800DDM12 Hi-Reliability Dual Switch IGBT Module Advance Information Replaces May 2000 version, DS5291-1.3 DS5291-2.0 October 2000 FEATURES s s s s High Thermal Cycling Capability 800A Per Switch Non Punch Through Silicon Isolated MMC Base with AlN Substrates KEY PARAMETERS VCES (typ	Dynex Semiconductor

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