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GTT3434 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | GTT3434 GTM | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006, 10, 31 REVISED DATE :
GTT3434
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
30V 34m 6.1A
The GTT3434 uses advanced trench technology to provide excellent on-resistance and low gate charge. The TSSOP-6 package is universally used for all com |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| GTT2602 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006, 03, 28 REVISED DATE :
GTT2602
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
20V 34m 6.3A
The GTT2602 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. Th |
GTM |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| GTT2603 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006, 03, 28 REVISED DATE :
GTT2603
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
-20V 65m -5.0A
The GTT2603 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. |
GTM |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| GTT2604 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006, 03, 28 REVISED DATE :
GTT2604
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
30V 45m 5.5A
The GTT2604 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. Th |
GTM |
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