H55S1262EFP-A3E 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	H55S1262EFP-A3E Hynix Semiconductor	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O 128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I, O Specification of 128M (8Mx16bit) Mobile SDRAM Memory Cell Array - Organized as 4banks of 2,097,152 x16 This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for use
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
H5551	NPN SILICON TRANSISTOR N P N S I L I C O N T RAN S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H5551 ¨€ AMPLIFIER TRANSISTOR Collector-Emitter Voltage:Vceo=160V. CollectorDissipation:Pc(max)=625mW ¨€ T stg ¡ ª Tj¡ª ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ¨ Storage Temperature¡ - ¡ Junction Temperature¡ - ¡	SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
H556	PNP Silicon Transistor P N P S I L I C O N T RAN S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H556 ¨€ ¨€ T stg ¡ ª Tj¡ª PC¡ª VCBO¡ª VCEO¡ª SWITCHING AND AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ¨ Storage Temperature¡ - ¡ Junction Temperature¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Collector Dissipation¡- ¡Coll	Shantou Huashan Electronic
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
H557	NPN SILICON TRANSISTOR PNP SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H557 ¨€ APPLICATIONS SWITCHING AND AMPLIFIER ¨€ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ¨ Ta=25¡æ TO-92 T stg ¡ ª ¡ ªStorage Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-55~150¡æ T j ¡ª¡ªJunction Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-	SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES

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