H7N0308LM 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching의 기능을 가지고 있습니다.

사이트 이용 방법

H7N0308LM의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요.

클릭한 반도체 부품에 대한 모든 관련 사양 및 성능이 포함된 데이터시트가 제공됩니다.

번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	H7N0308LM Renesas Technology	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching H7N0308LD, H7N0308LS, H7N0308LM Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1124-0500 (Previous: ADE-208-1535C) Rev.5.00 Apr 07, 2006 Features R Low on-resistance DS (on) = 3.8 mΩ typ. Low drive current 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Pac
데이터시트 다운로드

부품번호	상세설명	제조업체	PDF
H7N0307AB	Silicon N Channel MOS FET H7N0307AB Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Low on-resistance RDS (on) = 4.6 mΩ typ. Low drive current 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Package code: PRSS0004AC-A (Package name: TO-220AB) 123 G D S REJ03G1120-0300 (Previous:	Renesas
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
H7N0307AB	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching H7N0307AB Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-1568A (Z) 2nd. Edition Aug. 2002 Features Low on-resistance RDS(on) = 4.6 mΩ typ. Low drive current 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline TO-220AB D G S 1 2 3 1. Gate 2. Drain (Frange) 3. Sour	Hitachi
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
H7N0307L	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching H7N0307LD, H7N0307LS, H7N0307LM Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-1516D (Z) 5th. Edition May 2002 Features Low on-resistance RDS(on) =4.6 mΩ typ. Low drive current 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline LDPAK 4 4 D 4 G 1 S 2 1 2 3 1 2	Hitachi

우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.

검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다.

공유링크 :

당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로

결과를 필터링하여 필요한 정확한 데이터시트를 쉽게 찾을 수 있습니다.

DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2