H7N1004LM 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 (H7N1004xx) Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	H7N1004LM Renesas Technology	(H7N1004xx) Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching H7N1004LD, H7N1004LS, H7N1004LM Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching REJ03G0072-0600Z (Previous ADE-208-1552E(Z)) Rev.6.00 Aug.27.2003 Features Low on-resistance RDS(on) = 25 mΩ typ. Low drive current Available for 4.5 V gate drive Outline LDPAK 4 D 4 4 G 1 S 1 2 3 1 2
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
H7N0307AB	Silicon N Channel MOS FET H7N0307AB Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Low on-resistance RDS (on) = 4.6 mΩ typ. Low drive current 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Package code: PRSS0004AC-A (Package name: TO-220AB) 123 G D S REJ03G1120-0300 (Previous:	Renesas
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
H7N0307AB	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching H7N0307AB Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-1568A (Z) 2nd. Edition Aug. 2002 Features Low on-resistance RDS(on) = 4.6 mΩ typ. Low drive current 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline TO-220AB D G S 1 2 3 1. Gate 2. Drain (Frange) 3. Sour	Hitachi
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
H7N0307L	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching H7N0307LD, H7N0307LS, H7N0307LM Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-1516D (Z) 5th. Edition May 2002 Features Low on-resistance RDS(on) =4.6 mΩ typ. Low drive current 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline LDPAK 4 4 D 4 G 1 S 2 1 2 3 1 2	Hitachi

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