HF115F 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	HF115F Hongfa Technology	MINIATURE HIGH POWER RELAY B@559@ ECFC;KLI BCAB HGN I I D;O @UQab_U` Ieha Pk5AH8:;<8> M > Ieha Pk5A88=@:; Ieha Pk5AFSF7 77979 8:7 . Nks daecdpA 8<5> ii . 8=D osep_dejc _]l]^ehepu . 773 7=:8 naejbkn_a ejoqh]pekj . Rnk`q_p ej ]
2	HF115F-A Hongfa Technology	MINIATURE HIGH POWER RELAY <:, , 3:-5 =@=5EFC9 <=;< BAH9C C9>5I :NKXYVNW } } } } } } } } } } } } } CE pifn[a_ ]icf nsj_ 8=C mqcn]bcha ][j[\cfcns 8 . 9 jif_ ]ih`caol[ncihm gg El__j[a_ ^cmn[h]_A 87gg N__ncha WFG 7>773 7=:8 l_ch`il]_ chmof[ncih Qli^o]n ch []
3	HF115F-LS Hongfa Technology	MINIATURE HIGH POWER LATCHING RELAY 97..07,;A <:=:2BC@6 9:89 >E6@ ;2B49:=8 @6;2G Idg` Pj5AH8:;<8> 5D6 Idg` Pj5A88=@:; Idg` Pj5AFSF8;77987;<9@ 7KHVWTKU ^ N\o^cdib m`g\t ^ Uk`^d\g ^jio\^o nomp^odji ^ Li^\i_`n^`io g\hk gj\_A :<77Y 9>>XDF ^
4	HF115F-Q Hongfa Technology	MINIATURE HIGH POWER RELAY 53**,3 } < 8696. @=2 5645 ;:B2= =27.C 3GDQROGP Hcf_ Oi4@ G79:;7= A 1 2 Hcf_ Oi4@77< 9: Hcf_ Oi4@ ERE6>66868>796 Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Cg\c_hn n_gj_l[nol_ oj ni 78; ;eW ^c_f_]nlc] mnl_hanb , \_nq__h ]icf [h^ ]ihn[]nm0 Miq b_cabn@ 7;4=gg El__j[a_ ^cmn[h]_ B>gg N__ncha WFG 6=662 6<97 l_ch`il]_ chmo
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HF10-12F	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF10-12F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI HF10-12F is Designed for PACKAGE STYLE .380 4L FLG B .112 x 45° A FEATURES: PG = 20 dB min. at 10 W, 30 MH- IMD3 = -30 dBc max. at 10 W (PEP) Omnigold™ Metalization System F E B C D E C E Ø.125 NOM. FULL R J .125 MAXIMUM RAT	Advanced Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HF10-12S	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF10-12S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI HF10-12S is Designed for PACKAGE STYLE .380 4L STUD .112x45° A FEATURES: PG = 20 dB min. at 10 W, 30 MH- IMD3 = -30 dBc max. at 10 W (PEP) Omnigold™ Metalization System B C E ØC E B H I J D MAXIMUM RATINGS IC VCBO VCEO VEBO	Advanced Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HF100-12	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF100-12 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI HF100-12 is Designed for PACKAGE STYLE .500 4L FLG .112x45° A FULL R Ø.125 NOM. L FEATURES: PG = 12 dB min. at 100 W, 30 MH- IMD3 = -30 dBc max. at 100 W (PEP) Omnigold™ Metalization System C B E H D G F K MAXIMUM RATINGS IC	Advanced Semiconductor

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