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HF15-28S 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | HF15-28S Advanced Semiconductor | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF15-28S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI HF15-28S is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
.112x45° A
FEATURES:
Omnigold™ Metalization System
B
D S
ØC
S G
H I J
D
MAXIMUM RATINGS
#8-32 UNC-2A
G F E
IC VCBO VCEO VEBO PDISS TJ T STG θ JC
O
4.0 A 65 V
DIM MINIM |  |
데이터시트 다운로드
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HF10-12F | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF10-12F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI HF10-12F is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L FLG
B .112 x 45° A
FEATURES:
PG = 20 dB min. at 10 W, 30 MH- IMD3 = -30 dBc max. at 10 W (PEP) Omnigold™ Metalization System
F
E B
C D E
C E
Ø.125 NOM. FULL R J .125
MAXIMUM RAT |
Advanced Semiconductor |
 |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HF10-12S | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF10-12S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI HF10-12S is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
.112x45° A
FEATURES:
PG = 20 dB min. at 10 W, 30 MH- IMD3 = -30 dBc max. at 10 W (PEP) Omnigold™ Metalization System
B
C E
ØC
E B
H I J
D
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VCEO VEBO |
Advanced Semiconductor |
|
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HF100-12 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF100-12
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI HF100-12 is Designed for
PACKAGE STYLE .500 4L FLG
.112x45° A FULL R Ø.125 NOM. L
FEATURES:
PG = 12 dB min. at 100 W, 30 MH- IMD3 = -30 dBc max. at 100 W (PEP) Omnigold™ Metalization System
C B
E H
D G
F K
MAXIMUM RATINGS
IC |
Advanced Semiconductor |
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