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HF165FD 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 MINIATURE HIGH POWER RELAY의 기능을 가지고 있습니다. |
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검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | HF165FD Hongfa Technology | MINIATURE HIGH POWER RELAY <:032:8
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Fad] Lg3 E689:6< 8G9
Fad] Lg3 95598698
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| 2 | HF165FD-G Hongfa Technology | MINIATURE HIGH POWER RELAY ;9, 2197-:
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HF10-12F | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF10-12F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI HF10-12F is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L FLG
B .112 x 45° A
FEATURES:
PG = 20 dB min. at 10 W, 30 MH- IMD3 = -30 dBc max. at 10 W (PEP) Omnigold™ Metalization System
F
E B
C D E
C E
Ø.125 NOM. FULL R J .125
MAXIMUM RAT |
 Advanced Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HF10-12S | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF10-12S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI HF10-12S is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
.112x45° A
FEATURES:
PG = 20 dB min. at 10 W, 30 MH- IMD3 = -30 dBc max. at 10 W (PEP) Omnigold™ Metalization System
B
C E
ØC
E B
H I J
D
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VCEO VEBO |
Advanced Semiconductor |
|
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HF100-12 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF100-12
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI HF100-12 is Designed for
PACKAGE STYLE .500 4L FLG
.112x45° A FULL R Ø.125 NOM. L
FEATURES:
PG = 12 dB min. at 100 W, 30 MH- IMD3 = -30 dBc max. at 100 W (PEP) Omnigold™ Metalization System
C B
E H
D G
F K
MAXIMUM RATINGS
IC |
Advanced Semiconductor |
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