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HF2100 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 MINIATURE HIGH POWER RELAY의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | HF2100 Hongfa Technology | MINIATURE HIGH POWER RELAY
;92100
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HF20-12F | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF20-12F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The HF20-12F is Designed for 12.5 V Class AB & C HF Power Amplifier Applications in the 2 to 32 MH- Band.
FEATURES INCLUDE:
Replacement for MRF433 & SD1285 PG = 18 dB Typical at 30MH- & 20W Withstands 20:1 Load VSWR
MAXIMUM RATINGS
IC VCB V |
 Advanced Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HF20-12S | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF20-12S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI HF20-12S is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
.112x45° A
FEATURES:
PG = 18 dB min. at 20 W, 30 MH- IMD3 = -30 dBc max. at 20 W (PEP) Omnigold™ Metalization System
B
C E
ØC
E B
H I J
D
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VCEO VEBO |
Advanced Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HF20A060ACE | Hexfred Die
Preliminary Data Sheet PD-20600 rev. C 2, 04
HF20A060ACE
Hexfred Die in Wafer Form
600 V Size 20 6" Wafer
Electrical Characteristics ( Wafer Form )
Parameter V FM BV R IRM Description Forward Voltage Reverse Breakdown Voltage Reverse Leakage Current Guaranteed (Min, Max) 1.7V Max. 600V Min. 10 |
 International Rectifier |
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