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HF26F 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 SUBMINIATURE HIGH POWER RELAY의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | HF26F Hongfa Technology | SUBMINIATURE HIGH POWER RELAY
31 | *1 .JQC27;F,
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1EBOPMEN
V Eqmk^f^er ehp \hlm V 9555VAC lnk`^ ohemZ`^ .[^mp^^g \hbe Zg] \hgmZ\ml, V 65A 7:5VAC .Zm =: , lpbm\abg` \ZiZ[bebmr V Ce^ZkZg\^ 4 \k^^iZ`^ ]blmZg\^ f^^mbg` VDE598: 4 5<55 V CTI 7:54CTI 855 ZoZbeZ[e^ V UL>91 V25 _eZffZ[bebmr \eZll V Egobk | ![]() |
2 | HF26F-T Hongfa Technology | SUBMINIATURE HIGH POWER RELAY
20 }~ 0 { ; .JQC27;F2T,
:<,5363+;<9, 2312 ;, 58, 9+;<9, 9, 4+
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U 9555VAC lnk`^ ohemZ`^.[^mp^^g \hbe Zg] \hgmZ\ml, U 65A 7:5VAC lpbm\abg` \ZiZ\bmr .Zm 65: , U Ce^ZkZg\^ 4 \k^^iZ`^ ]blmZg\^ Fbe^ Nh3 E6889=6 f^^mbg` VDE598: 4 5<55 U UL>91 V25 _eZffZ[bebmr \eZll U Egobkhgf^gmZe _kb^g]e | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
HF20-12F | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF20-12F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The HF20-12F is Designed for 12.5 V Class AB & C HF Power Amplifier Applications in the 2 to 32 MH- Band.
FEATURES INCLUDE:
Replacement for MRF433 & SD1285 PG = 18 dB Typical at 30MH- & 20W Withstands 20:1 Load VSWR
MAXIMUM RATINGS
IC VCB V |
![]() Advanced Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
HF20-12S | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF20-12S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI HF20-12S is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
.112x45° A
FEATURES:
PG = 18 dB min. at 20 W, 30 MH- IMD3 = -30 dBc max. at 20 W (PEP) Omnigold™ Metalization System
B
C E
ØC
E B
H I J
D
MAXIMUM RATINGS
IC VCBO VCEO VEBO |
![]() Advanced Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
HF20A060ACE | Hexfred Die
Preliminary Data Sheet PD-20600 rev. C 2, 04
HF20A060ACE
Hexfred Die in Wafer Form
600 V Size 20 6" Wafer
Electrical Characteristics ( Wafer Form )
Parameter V FM BV R IRM Description Forward Voltage Reverse Breakdown Voltage Reverse Leakage Current Guaranteed (Min, Max) 1.7V Max. 600V Min. 10 |
![]() International Rectifier |
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