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HF3010C-TM 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 IGBT inverter의 기능을 가지고 있습니다. |
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검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | HF3010C-TM Soshin | IGBT inverter HF3000C-TM Series
3 Phase & 3 lines 500VAC
for EMC directive,class A,B Standard of High attenuation Type
UL1283 (file No.E102708) EN60939-2 (file No.R50031226)
Application
IGBT inverter, AC servo, NC controller etc.
Specifications Part No. HF3005C-TM HF3010C-TM HF3015C-TM HF3020C-TM HF3030C-TM HF |  |
| 2 | HF3010C-TMA Soshin | IGBT inverter HF3000C-TMA Series
3 Phase & 3 lines 460VAC
for EMC directive,class A,B Standard of High attenuation Type
EN60939-2 (file No.R50031226)
Application
IGBT inverter, AC servo, NC controller etc.
Specifications Part No. HF3005C-TMA HF3010C-TMA HF3015C-TMA HF3020C-TMA HF3030C-TMA HF3040C-TMA HF3050C-T | |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HF30-28F | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF30-28F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI HF30-28F is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L FLG
B .112 x 45° A
FEATURES:
PG = 20 dB min. at 30 W, 30 MH- IMD3 = -30 dBc max. at 30 W (PEP) Omnigold™ Metalization System
F
E B
C D E
C E
Ø.125 NOM. FULL R J .125
MAXIMUM RAT |
 Advanced Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HF30-28S | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF30-28S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI HF30-28S is Designed for
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
.112x45° A
FEATURES:
PG = 20 dB min. at 30 W, 30 MH- IMD3 = -30 dBc max. at 30 W (PEP) Omnigold™ Metalization System
B
C E
ØC
E B
H I J
D
MAXIMUM RATINGS
IC VCB VCE VEBO P |
Advanced Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HF3000A-TM | IGBT inverter HF3000A-TM Series
3 Phase & 3 lines 250VAC
for EMC directive,class A,B Standard of High attenuation Type
5-100A EN60939-2 (file No.R50031751)
Application
IGBT inverter, AC servo, NC controller etc.
Specifications Part No. HF3005A-TM HF3010A-TM HF3015A-TM HF3020A-TM HF3030A-TM HF3040A-TM HF3050A-T |
Soshin |
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