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HFD2 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-Channel MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | HFD2 ETC | SUBMINIATURE DIP RELAY HFD2
SUBMINIATURE DIP RELAY
Features
2
Form C contact,Polarized relay sensitivity 150mW
High Fits
standard 16 pin IC socket switching capacity 60W,125VA sealed for automatic wave soldering
High
Epoxy
File No.:E133481
and cleaning
CONTACT DATA
Contact Arrangement Initial Contact Resista |  |
| 2 | HFD2 Hongfa | SUMINIATURE DIP RELAY 864,
@B2;9<91AB 5 49> 5:1F
Idg` Pj5AH8::; 8 Idg` Pj5AFSF8:7797@<8>;0Udibg` nd_` no\]g`1
FSF8:7797@<8><0N\o^cdib1
6KGVWTKU
] Kdbc n`indodq`A 8<7hY ] O\o^cdib no\i_\m_8= kdi LF nj^f`o ] Kdbc nrdo^cdib ^\k\^dotA 89 |  |
| 3 | HFD23 Hongfa Technology | RELAY 31, ~*
;=-6474,<=:0 ;427,5 :05,A
Hdg` Oj5AG8::; 8 Hdg` Oj5AERE7@7797:<7>7
1FCPQNFO
X N\s5;C nrdo^cdib ^\k\]dgdot X Jdbc n`indodq`A 8<7hX X 8 Hjmh E ^jiadbpm\odji X Qg\nod^ n`\g`_ otk` \q\dg\]g` X Giqdmjih`io\g amd`i_gt kmj_p^o 0SjJT ^jhkgd\io1 X Ppogdi` Fdh`indjinA 0895< s >5< s 87571 hh
.87<,.< |  |
| 4 | HFD27 Hongfa | Subminiature DIP Relay 975-,
AC3<:=:2BC@6 5: @6;2F
Hcf_ Oi5AG8::; 8 Hcf_ Oi5AS<77><:=9 Hcf_ Oi5AERE7@7797:::@:
7JGUVSJT
] 9 Hilg E ]ih`caol[ncih ] Jcab mqcn]bcha ][j[]cnsA 89 | |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HFD1N60 | N-Channel MOSFET HFD1N60_HFU1N60
Dec 2005
HFD1N60 , HFU1N60
600V N-Channel MOSFET
BVDSS = 600 V RDS(on) typ ID = 0.9 A
FEATURES
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate |
 SemiHow |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HFD1N60F | 600V N-Channel MOSFET HFD1N60F_HFU1N60F
Sep 2015
HFD1N60F , HFU1N60F
600V N-Channel MOSFET
BVDSS = 600 V RDS(on) typ ID = 1 A
FEATURES
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gat |
SemiHow |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HFD1N60S | N-Channel MOSFET HFD1N60S , HFU1N60S
Sep 2009
HFD1N60S , HFU1N60S
600V N-Channel MOSFET
BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 10 Ω ID = 1.0 A
FEATURES
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unriva |
SemiHow |
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