HFD3 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 N-Channel MOSFET의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	HFD3 Hongfa	SUBMINIATURE SIGNAL RELAY 753. @B1;8<80AB 4 @86<0: 4:0F Hdg` Pj5AG8::; 8 3C4 Hdg` Pj5A;778 => Hdg` Pj5AESE8;7797>;7@ 5KGWXUKV _ Upmb` rdocno\i_ qjgo\b` pk oj 9<77XCE3 h``on HEE R\mo = \i_ V`g`^jm_d\ _ O``on GP=7@<7 6 GP;877: _ UOV \i_ FKR otk`n \q\dg\]g` _ Ddapm^\o`_ ^jio\^on _ Udibg` nd_` no\]g` \i_ g\o^cdib otk` \q\dg
2	HFD3-V Hongfa Technology	RELAY 642-*B A0:7;7, @A>3 75;, 9 >39, E Gcf_ Oi4@ F799:>7 2B3 Gcf_ Oi4@ :667>><= Gcf_ Oi4@DRD7:66876=:6 4JFVWTJU ^ 9eW ^c_f_]nlc] mnl_hanb , \_nq__h ]icf [h^ ]ihn[]nm0 ^ Tola_ qcnbmn[h^ pifn[a_ oj ni <666WBD2 g__nm GDD Q[ln <> [h^ U_f_]il^c[ ^ Nch4 ]l__j[a_ cm 84;gg , \_nq__h ]icf [h^ ]ihn[]n02 Nch4
3	HFD3020 Honeywell	TTL Output Receiver m o HFD3020 .c U 4 t e e h S a at .D w w w TTL Output Receiver FEATURES Converts fiber optic input signals to TTL digital outputs Typical sensitivity 500 nW peak (-33 dBm) Single 5 V supply requirement Edge detection circuitry gives 20 dB minimum dynamic range, low Pulse Width Distortion Oper
4	HFD3022 Honeywell	Silicon PIN Photodiode m o HFD3022 .c U 4 t e e h S a at .D w w w Silicon PIN Photodiode FEATURES Plastic cap with TO-18 header Low capacitance High speed: t² = 30 ns max. @ 5 V DESCRIPTION The HFD3022 PIN photodiode is designed for high speed use in fiber optic receivers. It has a large area detector, providing effic
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HFD1N60	N-Channel MOSFET HFD1N60_HFU1N60 Dec 2005 HFD1N60 , HFU1N60 600V N-Channel MOSFET BVDSS = 600 V RDS(on) typ ID = 0.9 A FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate	SemiHow
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HFD1N60F	600V N-Channel MOSFET HFD1N60F_HFU1N60F Sep 2015 HFD1N60F , HFU1N60F 600V N-Channel MOSFET BVDSS = 600 V RDS(on) typ ID = 1 A FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gat	SemiHow
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HFD1N60S	N-Channel MOSFET HFD1N60S , HFU1N60S Sep 2009 HFD1N60S , HFU1N60S 600V N-Channel MOSFET BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 10 Ω ID = 1.0 A FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unriva	SemiHow

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