HFD3029 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Schmitt Input / Non-Inverting TTL Output Receiver의 기능을 가지고 있습니다.

사이트 이용 방법

HFD3029의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요.

클릭한 반도체 부품에 대한 모든 관련 사양 및 성능이 포함된 데이터시트가 제공됩니다.

번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	HFD3029 Honeywell	Schmitt Input / Non-Inverting TTL Output Receiver m o HFD3029 .c U 4 t e e h S a at .D w w w FEATURES Converts fiber optic input signals to TTL totem pole outputs Sensitivity is 1.5 W peak (-28.2 dBm) Single 5 V supply requirement Schmitt circuitry gives 17 dB dynamic range and low Pulse Width Distortion Operates up to 200K bps NRZ Plasti
데이터시트 다운로드

부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HFD1N60	N-Channel MOSFET HFD1N60_HFU1N60 Dec 2005 HFD1N60 , HFU1N60 600V N-Channel MOSFET BVDSS = 600 V RDS(on) typ ID = 0.9 A FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate	SemiHow
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HFD1N60F	600V N-Channel MOSFET HFD1N60F_HFU1N60F Sep 2015 HFD1N60F , HFU1N60F 600V N-Channel MOSFET BVDSS = 600 V RDS(on) typ ID = 1 A FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gat	SemiHow
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HFD1N60S	N-Channel MOSFET HFD1N60S , HFU1N60S Sep 2009 HFD1N60S , HFU1N60S 600V N-Channel MOSFET BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 10 Ω ID = 1.0 A FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unriva	SemiHow

우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.

검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다.

공유링크 :

당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로

결과를 필터링하여 필요한 정확한 데이터시트를 쉽게 찾을 수 있습니다.

DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2